第四代3D NAND闪存:存海量高清、玩高端游戏,不必再等待

随着科技高速发展,很快就能实现一块普通的固态硬盘达到TB级,到时候大家的移动设备将更海量、更快速、更轻便。我们甚至可以随时随地看本地存储的高清电影,玩大型游戏也不必再等待。

据报道,三星电子最快将从6月末开始在京畿平泽半导体工厂内开始批量生产第四代256Gb V-Nand,成为全球第一家量产第四代3D NAND芯片的厂商,同期,也有其他厂商计划在年内量产其3D NAND闪存芯片,但迟迟不见公布日期。

相比上一代3D NAND芯片而言,第四代产品拥有更大的存储容量,更快的速度,尤其在越演越激烈的竞争中,其价格也将越来越亲民。

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容量更大

第四代V-NAND的芯片堆叠层数由第三代的48层增加至64层,单晶粒的存储容量达64GB。此前,东芝在年初也发布了64层的BiCS FLASH 3D闪存,单晶粒存储容量也是64GB。而SK海力士在今年4月份宣布,已经成功研发出第四代3D-V4,拥有惊人的72层堆叠(TLC),领先于三星和东芝的64层,只不过至今未量产。

在3D闪存领域,Intel/美光是来得最晚的,但IMFT的3D NAND有很多独特之处,它是第一款采用FG浮栅极技术量产的,在成本及容量上更有优势,其MLC类型闪存核心容量就有256Gb,而TLC闪存则可以做到384Gb,是目前TLC类型3D NAND闪存中容量最大的。

基于堆叠层数越多,存储密码越大,一片已经封闭好的闪存芯片的容量就可高达512GB,只要两颗芯片,一块M.2固态硬盘的存储容量就能达到1TB。

速度更快

三星第四代V-Nand芯片数据传输速度高达1Gbps,烧录器烧录单个芯片的时间(tPROG)仅需要500㎲,比10 nm级的平面NAND闪存快了约四倍,比第三代V-NAND快了约1.5倍。

市面上,M.2接口NVMe协议的固态硬盘,256G版本持续读取速度高达2000MB/s、持续写入速度高达900MB/s。随着容量越大,其数据传输速度会更快,1T版本持续读取速度已经能够达到惊人的3200MB/s,持续写入速度最快达到1800MB/s。

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